本發(fā)明涉及慣性器件，尤其涉及一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法。
背景技術(shù)：
1、mems（micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng)）慣性器件在制作過程中需要劃透器件層，將基底層上的測試pad露出來以完成測試。目前，mems慣性器件的器件層與基底之間的間距通常不足10?μm，在操作過程中，因器件層與基底層之間的間距過小，存在劃片刀接觸到基底金屬線的風(fēng)險，同時，劃片工藝窗口狹小，對劃片機工藝穩(wěn)定性要求非常高。因此，亟需一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法來解決上述問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了解決上述問題，一方面，本發(fā)明提供了一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)，包括從上至下依次鍵合的上蓋板、器件層和基底，所述器件層具有敏感刻蝕區(qū)域和非敏感區(qū)域，所述敏感刻蝕區(qū)域經(jīng)刻蝕形成有慣性器件敏感結(jié)構(gòu)，所述非敏感區(qū)域設(shè)有劃片道，所述劃片道上經(jīng)刻蝕形成有第一刻透區(qū)，所述基底上設(shè)有多個測試pad，所述第一刻透區(qū)位于多個所述測試pad的正上方。
2、進一步地，所述第一刻透區(qū)有多個且分布于所述敏感刻蝕區(qū)域四周。
3、進一步地，每個所述第一刻透區(qū)位于對應(yīng)的一個或多個測試pad的正上方。
4、進一步地，所述第一刻透區(qū)為方形刻透區(qū)，所述方形刻透區(qū)的寬度不小于80?μm。
5、進一步地，所述上蓋板上設(shè)有第二刻透區(qū)，所述第二刻透區(qū)與所述第一刻透區(qū)連通以露出多個所述測試pad。
6、另一方面，本發(fā)明還提供了一種如上所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：
7、s1：將上蓋板圖形化；
8、s2：將器件層與圖形化后的上蓋板鍵合，對所述器件層的敏感刻蝕區(qū)域和非敏感區(qū)域的劃片道進行刻蝕，在器件層的敏感刻蝕區(qū)域得到慣性器件敏感結(jié)構(gòu)，并在劃片道上形成第一刻透區(qū)；
9、s3：將基底與器件層鍵合，得到三層鍵合結(jié)構(gòu)，所述第一刻透區(qū)位于所述基底的測試pad的正上方。
10、進一步地，所述步驟s2中，所述器件層的敏感刻蝕區(qū)域的刻蝕和非敏感區(qū)域的劃片道的刻蝕同步進行。
11、進一步地，所述步驟s3還包括，需要連接測試pad進行測試時，在所述三層鍵合結(jié)構(gòu)的上蓋板上開設(shè)第二刻透區(qū)，將第二刻透區(qū)與第一刻透區(qū)連通以露出所述測試pad。
12、進一步地，所述步驟s3還包括，在基底與器件層鍵合前，對器件層進行減薄處理，將所述器件層減薄至厚度為30-80?μm。
13、進一步地，所述步驟s1具體包括：將上蓋板晶圓經(jīng)過光刻和刻蝕形成圖形化。
14、本發(fā)明由于采用以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果：
15、1）本發(fā)明提供的mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法，預(yù)先進行器件層上的第一刻透區(qū)的開設(shè)，器件層與基底鍵合后，基底上方的器件層無需劃，即可將基底上的測試pad露出來，避免了劃片刀接觸到基底金屬線風(fēng)險，提高了mems慣性器件制作良率。
16、2）本發(fā)明提供的mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法，相較于傳統(tǒng)的器件層的刻蝕僅僅集中在敏感刻蝕區(qū)域，且刻蝕深寬比較大，使得刻蝕氣體分布不均勻，整片晶圓刻蝕均勻性不佳，本申請在器件層刻蝕時，在非敏感區(qū)域增加第一刻透區(qū)開槽，使得刻蝕氣體分布更加均勻，整片晶圓刻蝕一致性更佳，器件層開孔更均勻，改善了刻蝕結(jié)構(gòu)的均勻性，增加了mems慣性器件可靠性。
1.一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)，包括從上至下依次鍵合的上蓋板、器件層和基底，其特征在于，所述器件層具有敏感刻蝕區(qū)域和非敏感區(qū)域，所述敏感刻蝕區(qū)域經(jīng)刻蝕形成有慣性器件敏感結(jié)構(gòu)，所述非敏感區(qū)域設(shè)有劃片道，所述劃片道上經(jīng)刻蝕形成有第一刻透區(qū)，所述基底上設(shè)有多個測試pad，所述第一刻透區(qū)位于多個所述測試pad的正上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一刻透區(qū)有多個且分布于所述敏感刻蝕區(qū)域四周。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個所述第一刻透區(qū)位于對應(yīng)的一個或多個測試pad的正上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一刻透區(qū)為方形刻透區(qū)，所述方形刻透區(qū)的寬度不小于80?μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上蓋板上設(shè)有第二刻透區(qū)，所述第二刻透區(qū)與所述第一刻透區(qū)連通以露出多個所述測試pad。
6.一種如權(quán)利要求1-5任一項所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟s2中，所述器件層的敏感刻蝕區(qū)域的刻蝕和非敏感區(qū)域的劃片道的刻蝕同步進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟s3還包括，需要連接測試pad進行測試時，在所述三層鍵合結(jié)構(gòu)的上蓋板上開設(shè)第二刻透區(qū)，將第二刻透區(qū)與第一刻透區(qū)連通以露出所述測試pad。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟s3還包括，在基底與器件層鍵合前，對器件層進行減薄處理，將所述器件層減薄至厚度為30-80?μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems慣性器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟s1具體包括：將上蓋板晶圓經(jīng)過光刻和刻蝕形成圖形化。