本發(fā)明涉及一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊的電路、結(jié)構(gòu)、制備方法。
背景技術(shù)：
1、常用固體繼電器包括光mos繼電器和金屬封裝固體繼電器；對于點火領(lǐng)域，目前常常采用金屬封裝固體繼電器。而光mos繼電器的外殼為陶瓷絕緣材料，該特性使得產(chǎn)品體積小，重量輕、且導(dǎo)熱良好，并且光mos繼電器相對變壓器隔離驅(qū)動的產(chǎn)品，光mos繼電器采用光隔離，具有更好的隔離性能，但傳統(tǒng)光mos繼電器使用受限于體積、結(jié)構(gòu)等等方面，負(fù)載往往不超過1a，過負(fù)載不超過5a，而點火模塊由于需要較大的過負(fù)載能力，故光現(xiàn)有的點火領(lǐng)域很少使用mos繼電器。如cn112130505b公開的火工品點火控制電路及其方法，以光mos繼電器替代現(xiàn)有的電磁繼電器的機械式輸出，從而達(dá)到縮小空間占比、延長使用壽命，實現(xiàn)可靠地提高點火操控的精確度、避免因錯誤開閉信號的干擾而導(dǎo)致誤激活現(xiàn)象的發(fā)生。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊的電路、結(jié)構(gòu)、制備方法。
2、本發(fā)明通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)。
3、本發(fā)明提供的一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊；包括：
4、所述延時電路包括二極管d1、二極管d3、電阻r2、電阻r3、電容c1、mos管q1，所述二極管d1的陽極連接輸入端，陰極依次串聯(lián)電阻r2和電容c1的第一端，所述二極管d3的陽極連接電容c1的第一端，陰極連接mos管q1的柵極，所述電阻r3的一端連接mos管q1的柵極，另一端接地；所述電容c1的第二端接地，所述mos管q1的漏極連接電源端，源極連接輸出端；
5、所述隔離電路包括發(fā)光二極管d2和光伏芯片u1，所述發(fā)光二極管d2的陽極連接mos管q1的源極，陰極與光伏芯片u1的光敏面耦合，所述光伏芯片u1的輸出端連接至輸出電路的驅(qū)動端；
6、所述輸出電路包括并聯(lián)的mos管q2和q3，mos管q2和q3的柵極均連接光伏芯片u1的輸出端，mos管q2的漏極與q3的漏極并聯(lián)后連接至輸出端，源極均接地。
7、所述延時電路還包括電阻r1和r5，電阻r1的一端連接二極管d1的陰極，另一端連接電容c1的第一端，電阻r5的一端連接電容c1的第二端，另一端接地。
8、一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火器，包括：
9、陶瓷絕緣外殼；陶瓷絕緣外殼內(nèi)設(shè)有mos芯片q2和q3，兩芯片的漏極通過金屬布線并聯(lián)連接，所述mos芯片q2和q3的底部設(shè)有熱沉片，熱沉片與陶瓷外殼的內(nèi)壁直接接觸；mos芯片q2和q3的布局方向與陶瓷外殼的長軸平行。
10、所述陶瓷基板的一側(cè)安裝有二極管d1、二極管d2、二極管d3、mos芯片q1、電阻r1、電阻r2、電阻r3、電容c1，另一側(cè)設(shè)有輸出和輸入銅排，銅排通過引腳伸出陶瓷基板的另一端。
11、所述熱沉片的材料為4j29合金。
12、一種光mos點火模塊的制造工藝，包括以下步驟：
13、(1)將mos芯片q1、q2、q3通過共晶焊接固定在陶瓷基板上；
14、(2)將光伏芯片u1通過環(huán)氧導(dǎo)電膠粘接在陶瓷基板上，并進(jìn)行固化；
15、(3)采用金線鍵合工藝連接mos管q1的柵極與電容c1、電阻r2和r3；
16、(4)通過平行封焊工藝對陶瓷外殼進(jìn)行密封封裝。
17、所述陶瓷陶瓷基板的材料為三氧化二鋁。
18、本發(fā)明的有益效果在于：
19、(1)通過延時電路抑制尖峰干擾，光隔離切斷共模干擾，輸入端可承受3～5ms(5v)尖峰及欠壓，確保點火信號穩(wěn)定。
20、(2)陶瓷外殼、全裸芯片裝配及微組裝工藝，使模塊體積較傳統(tǒng)金屬封裝繼電器減小60％以上，重量降低50％。
21、(3)并聯(lián)mos芯片設(shè)計、熱沉片散熱優(yōu)化及低電阻布線，使模塊持續(xù)負(fù)載能力達(dá)5a，瞬時過負(fù)載能力超過10a。
1.一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊，其特征在于：包括：
2.如權(quán)利要求1所述的具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊，其特征在于：所述延時電路還包括電阻r1和r5，電阻r1的一端連接二極管d1的陰極，另一端連接電容c1的第一端，電阻r5的一端連接電容c1的第二端，另一端接地。
3.如權(quán)利要求1所述的具備抗干擾和欠壓的光mos點火模塊，其特征在于：所述延時電路還包括電阻r1和r5，電阻r1的一端連接二極管d1的陰極，另一端連接電容c1的第一端；電阻r5的一端連接電容c1的第二端，另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，所述陶瓷基板的材料為三氧化二鋁，表面金屬化形成焊盤。
5.如權(quán)利要求1～4任意一項所述的一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火器，其特征在于，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的一種具備抗干擾和欠壓的光mos點火器，其特征在于：所述熱沉片的材料為4j29合金。
7.一種如權(quán)利要求1～6任意一項所述的一種光mos點火模塊的制造工藝，包括以下步驟：
8.如權(quán)利要求7所述的制造工藝，其特征在于：所述陶瓷基板的材料為三氧化二鋁。