本公開技術(shù)涉及電路模擬裝置及電路模擬程序產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
1、金屬氧化物半導(dǎo)體（metal-oxide-semiconductor，mos）元件的特性由于其制造工藝的影響而不可避免地產(chǎn)生偏差。因此，在包含mos元件的電路的設(shè)計中，需要考慮mos元件的特性的偏差。
2、作為用于此的方法，通常為5角模型。在5角模型中，設(shè)定關(guān)于某個特性（例如閾值電壓）的p型元件中的值和n型元件中的值的組合的主要5角（tt、ff、ss、fs、sf）。針對p型元件和n型元件，分別在上述某個特性和另一個特性（例如漏極電流）的二維圖中，繪制與主要5角相應(yīng)的點。由此，針對p型元件和n型元件分別得到兩個特性間的相關(guān)圖。以使得兩個相關(guān)圖中的相關(guān)性的強弱均衡的方式設(shè)計電路。
3、在此，關(guān)于主要5角中的不平衡角（fs、sf）的設(shè)定方法，并沒有明確的指標(biāo)。因此，對與f、s相關(guān)的值乘以某種系數(shù)來決定數(shù)值。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在現(xiàn)有技術(shù)中，有時會錯判偏差的影響。這是因為尚未建立根據(jù)相關(guān)狀況適當(dāng)?shù)卦O(shè)定系數(shù)的方法。因此，有時會對相關(guān)圖上的偏差進(jìn)行過低評價。其結(jié)果，有時設(shè)計上預(yù)想的電路特性與實際制作出的電路的特性不一致。
2、本公開技術(shù)針對上述問題提供了一種能夠適當(dāng)?shù)卦u價偏差的影響而預(yù)測電路特性的電路模擬裝置以及電路模擬程序產(chǎn)品。
3、為了實現(xiàn)上述目的，第一方面，本公開提供了一種電路模擬裝置，對包含金屬氧化物半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體電路的金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值進(jìn)行模擬，該電路模擬裝置包括：數(shù)據(jù)輸入部，接受半導(dǎo)體電路的設(shè)計數(shù)據(jù)的輸入；標(biāo)準(zhǔn)化計算部，將基于設(shè)計數(shù)據(jù)制造多個半導(dǎo)體電路的情況下針對各金屬氧化物半導(dǎo)體元件預(yù)測的多種特性值進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化；馬氏距離計算部，針對各金屬氧化物半導(dǎo)體元件的標(biāo)準(zhǔn)化后的多種特性值的組，計算與標(biāo)準(zhǔn)化后的原點相距的馬氏距離；閾值設(shè)定部，設(shè)定針對計算出的多個馬氏距離的閾值；快點慢點計算部，計算在標(biāo)準(zhǔn)化后的多種特性值的正交坐標(biāo)系中、計算出的馬氏距離與閾值相等的點的軌跡上多種特性值均位于快側(cè)且距原點的歐幾里得距離最大的快點、和多種特性值均位于慢側(cè)且距原點的歐幾里得距離最大的慢點；不平衡角確定部，確定第一不平衡角點和第二不平衡角點，所述第一不平衡角點在正交坐標(biāo)系中位于偏離連結(jié)快點和慢點的線的位置，計算出的馬氏距離等于或小于閾值，所述第二不平衡角點位于隔著原點與第一不平衡角點對稱的位置；以及參數(shù)計算部，根據(jù)快點、慢點、第一不平衡角點以及第二不平衡角點，計算多種特性值的偏差。
4、第二方面，本公開提供了一種電路模擬程序產(chǎn)品，包括電路模擬程序，通過計算機對包含金屬氧化物半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體電路的金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值進(jìn)行模擬，該電路模擬程序被計算機執(zhí)行，包括下述步驟：數(shù)據(jù)輸入步驟，接受半導(dǎo)體電路的設(shè)計數(shù)據(jù)的輸入；標(biāo)準(zhǔn)化計算步驟，將基于設(shè)計數(shù)據(jù)制造多個半導(dǎo)體電路的情況下針對各金屬氧化物半導(dǎo)體元件預(yù)測的多種特性值進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化；馬氏距離計算步驟，針對各金屬氧化物半導(dǎo)體元件的標(biāo)準(zhǔn)化后的多種特性值的組，計算與標(biāo)準(zhǔn)化后的原點相距的馬氏距離；閾值設(shè)定步驟，設(shè)定針對計算出的多個馬氏距離的閾值；快點慢點計算步驟，計算在標(biāo)準(zhǔn)化后的多種特性值的正交坐標(biāo)系中、計算出的馬氏距離與閾值相等的點的軌跡上多種特性值均位于快側(cè)且距原點的歐幾里得距離最大的快點、和多種特性值均位于慢側(cè)且距原點的歐幾里得距離最大的慢點；不平衡角確定步驟，確定第一不平衡角點和第二不平衡角點，所述第一不平衡角點在正交坐標(biāo)系中位于偏離連結(jié)快點和慢點的線的位置，計算出的馬氏距離等于或小于閾值，所述第二不平衡角點位于隔著原點與第一不平衡角點對稱的位置；以及參數(shù)計算步驟，根據(jù)快點、慢點、第一不平衡角點以及第二不平衡角點，計算多種特性值的偏差。
5、根據(jù)本公開技術(shù)，提供了能夠適當(dāng)?shù)卦u價偏差的影響而預(yù)測電路特性的電路模擬裝置及電路模擬程序產(chǎn)品。
1.一種電路模擬裝置，其特征在于，對包含金屬氧化物半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體電路的所述金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值進(jìn)行模擬，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模擬裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路模擬裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路模擬裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模擬裝置，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值包括閾值電壓、漏極電流、增益、寄生電容、寄生電阻中的至少一種。
6.一種電路模擬程序產(chǎn)品，包括電路模擬程序，其特征在于，對包含金屬氧化物半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體電路的所述金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值進(jìn)行模擬，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路模擬程序產(chǎn)品，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路模擬程序產(chǎn)品，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路模擬程序產(chǎn)品，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路模擬程序產(chǎn)品，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特性值包括閾值電壓、漏極電流、增益、寄生電容、寄生電阻中的至少一種。