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本申請涉及半導體，尤其涉及一種多次可編程存儲單元及存儲陣列。、多次可編程非易失性存儲器（multiple-time?programmable?non-volatilememory,?mtp?nvm）是一種能夠在生命周期內(nèi)多次編程與擦除，并在斷電后長期保持存儲數(shù)據(jù)的集成電路器件。該技術(shù)結(jié)合了...

本發(fā)明涉及芯片設(shè)計及測試，尤其涉及一種soc芯片、cp測試系統(tǒng)及存儲器控制器的cp測試方法。、芯片測試包括cp（chip?probing，芯片探針）測試和ft（final?test）測試。cp測試也叫晶圓測試（wafer?test），也就是在芯片未封裝之前對晶圓進行測試，這樣就可以把有問題...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲，特別涉及一種nand?flash的自動化測試方法、系統(tǒng)和裝置。、nand?flash(閃存)是一種常見的非易失性存儲器。隨著嵌入式系統(tǒng)和電子設(shè)備對存儲器容量和性能的需求日益增長，nand?flash作為一種低成本、易于集成的存儲器，成為了解決方案的首要選擇。隨著nand...

本發(fā)明涉及半導體、存儲器及cmos混合集成電路，更為具體地，涉及一種非易失半導體存儲器陣列中的存內(nèi)全加器與加法器實現(xiàn)方法。、隨著信息技術(shù)的發(fā)展與數(shù)據(jù)量增大、算力需求提升，計算機中存儲器訪問與傳輸數(shù)據(jù)的速度已經(jīng)遠小于處理器運算速度，且這一差異逐漸增大；訪問存儲器的功耗開銷也遠大于計算所用的功...

本公開涉及用于在存儲設(shè)備中執(zhí)行均衡和去噪的系統(tǒng)、裝置和方法，并且更具體地涉及用于減少讀取噪聲，特別是隨機電報噪聲的影響的系統(tǒng)、裝置和方法。、諸如nand閃存設(shè)備的存儲設(shè)備可以允許在每個存儲器單元中存儲若干位的數(shù)據(jù)。其中存儲位數(shù)據(jù)的存儲器單元可被稱為多電平存儲器單元。多電平存儲器單元可將存儲...

本發(fā)明涉及半導體、存儲器及cmos混合集成電路，更為具體地，涉及一種非易失半導體存儲器陣列中的存內(nèi)全加器實現(xiàn)方法。、隨著信息技術(shù)的發(fā)展與數(shù)據(jù)量增大、算力需求提升，計算機中存儲器訪問與傳輸數(shù)據(jù)的速度已經(jīng)遠小于處理器運算速度，且這一差異逐漸增大；訪問存儲器的功耗開銷也遠大于計算所用的功耗。傳統(tǒng)...

本申請涉及集成電路，尤其涉及一種芯片修復方法、芯片和電子設(shè)備。、隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，存儲器，例如內(nèi)存，在整個芯片中所占的比重越來越大。為了降低由存儲器引起的良率損失，芯片設(shè)計時一般都會采用帶有冗余行或者列的memory（內(nèi)存單元），通過使用冗余行或者列替代有缺陷的陣列，來達到me...

本申請涉及數(shù)據(jù)存儲，特別涉及一種ssd的新增壞塊檢測方法、系統(tǒng)和裝置。、ssd(solid?state?drive，固態(tài)硬盤)是一種以閃存芯片為存儲介質(zhì)的存儲設(shè)備。ssd具有讀寫速度快、抗震性強、功耗低等特點，被廣泛應(yīng)用于計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備等電子設(shè)備中。由于閃存芯片有使用壽命限制，因...

本發(fā)明一般涉及靜態(tài)隨機存取存儲器器件。、靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)是一種，例如在嵌入式系統(tǒng)和現(xiàn)代計算器件中，廣泛使用的存儲器技術(shù)。sram設(shè)計中一種感興趣的性能度量是能耗-延遲-面積-乘積(edap)。業(yè)界一直在努力提供能隨著技術(shù)規(guī)模的擴大而改善edap的sram設(shè)計。技術(shù)實現(xiàn)思路、一...

本公開涉及數(shù)據(jù)存儲，尤其涉及一種存儲器讀取控制方法、存儲器讀取控制裝置、計算機設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)。、非易失性存儲器由于存儲的數(shù)據(jù)不會因斷電而遺失，而變成一個重要的保存數(shù)據(jù)的方式。為了驗證存儲器讀取操作的正確性，需要對待測試存儲器的參考電壓的閾值電壓進行精確控制。非易失性閃存包括nor...

本公開實施例涉及存儲器領(lǐng)域，更具體地，涉及一種鐵電存儲器及鐵電存儲器的控制方法。、feram(ferroelectric?ram，鐵電存儲器)，是一種隨機存取存儲器。其具有高速、高密度、低功耗、非易失、耐高溫、抗輻射、工藝兼容性強等優(yōu)點。因此，在ic卡、移動電話、嵌入式微處理器、航空航天以...

本發(fā)明涉及存儲器，特別涉及一種存儲控制器和三維堆疊存儲器。、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)等存儲器被廣泛應(yīng)用在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、工業(yè)應(yīng)用等場景，其中，dram具有高帶寬、大容量的優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用需要快速讀寫的場景。、目前...

本公開涉及半導體裝置，且特定來說涉及具有輸入緩沖器電路的半導體裝置。、存在將輸入信號的電平與參考電勢的電平進行比較的差分輸入型輸入緩沖器用于例如dram的半導體裝置的情況。在此差分輸入型輸入緩沖器中，要求構(gòu)成輸入側(cè)上的電路的晶體管的特性與構(gòu)成參考側(cè)上的電路的另一晶體管的特性彼此匹配。技術(shù)實...

本公開的多種實施例總體上涉及一種電子裝置，并且更特別地，涉及一種存儲裝置及存儲裝置的操作方法。、存儲裝置是在諸如計算機或智能電話的主機裝置的控制下存儲數(shù)據(jù)的裝置。存儲裝置可以包括存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置和控制存儲器裝置的控制器。存儲器裝置被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。、易失性存...

本發(fā)明涉及一種存儲器穩(wěn)定性與測試覆蓋范圍的判斷方法。、晶圓制造完成后，需要通過測試才能出廠。在測試時，可以提供多個測試程序(測試項目)來進行。如圖所示，其例示對個存儲器管芯(die)進行漏電流測試。在此，以ms的時間進行一次測試，圖例示了次的測試結(jié)果。在相同的存儲器管芯經(jīng)過相同的測試，出現(xiàn)...

本發(fā)明涉及一種內(nèi)存裝置，且特別涉及一種數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)譯碼電路、嵌入式閃存裝置及其操作方法。、在對如嵌入式閃存(eflash)之類的內(nèi)存進行編程時，會先將內(nèi)存的所有存儲單元先進行擦除到擦除狀態(tài)(例如位“”)。之后，在編程時，如果數(shù)據(jù)的位中有很多“”，則需要被編程的位數(shù)就會很多(將“”編程為“”)。...

本申請實施例涉及半導體領(lǐng)域，特別涉及一種存儲器電路。、隨著工藝制程的進一步微縮以及市場對芯片尺寸的進一步要求，存儲器廠商對于減小芯片尺寸的壓力越來越大。然而，在工藝制程微縮過程中，原有的缺陷通常不會消失，反而可能變得更為嚴重，例如晶體管匹配問題，這就導致無法通過減少為實現(xiàn)特定功能而設(shè)置的晶...

本文中的實施例涉及內(nèi)存架構(gòu)，并且特別地涉及數(shù)字內(nèi)存中計算處理模式和列多路復用內(nèi)存訪問模式兩者的內(nèi)存支持。、內(nèi)存架構(gòu)中的可配置性以支持神經(jīng)計算等不同用例的不同接口對于在合理功率電平下實現(xiàn)高處理速度至關(guān)重要。在神經(jīng)計算中，需要寬向量訪問與局部處理相結(jié)合，以實現(xiàn)低功耗深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(dnn)解決方...

本公開涉及芯片測試，尤其涉及一種存儲器的自動化開卡測試方法、服務(wù)器及計算機程序產(chǎn)品。、在半導體產(chǎn)業(yè)的制造流程中，存儲器產(chǎn)品(例如閃存顆粒、固態(tài)硬盤等)在出廠前必須經(jīng)過嚴格的測試，以確保其功能、性能和可靠性符合標準。其中，“開卡測試”是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，它通過向存儲器燒錄特定的測試程序和數(shù)據(jù)包(...

本申請涉及轉(zhuǎn)運設(shè)備的，尤其涉及一種光盤轉(zhuǎn)運裝置。、數(shù)據(jù)存儲技術(shù)是現(xiàn)代信息社會的重要基石，隨著大數(shù)據(jù)、云計算和人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，對高效、安全、低成本的長期數(shù)據(jù)存儲需求日益迫切。在眾多存儲技術(shù)中，光存儲技術(shù)憑借其高可靠性、長壽命、低能耗以及大容量等優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)...