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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 機(jī)電開關(guān)的制作方法
    、開關(guān)可以閉合或斷開以分別在兩個(gè)端子之間電連接或斷開連接。開關(guān)的一個(gè)實(shí)例是機(jī)電開關(guān),例如繼電器裝置,其包含一對(duì)電接觸件,每個(gè)電接觸件耦合到相應(yīng)的端子。機(jī)電開關(guān)可包含致動(dòng)器。響應(yīng)于電信號(hào)(例如,電壓信號(hào)),致動(dòng)器可以使兩個(gè)電接觸件物理接觸并閉合開關(guān),或者可以將兩個(gè)電接觸件彼此分離以斷開開關(guān)。...
  • 具有沖壓壓力噴嘴的定位裝置和對(duì)準(zhǔn)襯底的方法與流程
    本發(fā)明涉及一種定位裝置和一種將襯底相對(duì)于基本上平坦的表面對(duì)準(zhǔn)的方法。、對(duì)于微米結(jié)構(gòu)和/或納米結(jié)構(gòu)部件的制造,通常需要將部件相對(duì)于彼此精確地對(duì)準(zhǔn),例如將襯底相對(duì)于掩模精確地對(duì)準(zhǔn)。、掩模和襯底能夠抵靠彼此平坦放置,或者優(yōu)選以小的間隙寬度(例如μm)彼此平行定位。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),通常使用楔形誤差...
  • 一種MEMS傳感器芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及微機(jī)電,具體涉及一種mems傳感器芯片結(jié)構(gòu)。、微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro?electro?mechanical?system),簡(jiǎn)稱mems,是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的集微型機(jī)械、微傳感器、微執(zhí)行器、信號(hào)處理、智能控制于一體的一項(xiàng)新興科學(xué)技術(shù)。其中,mems慣性傳感器包括加速...
  • 一種用于MEMS芯片的電路板的制作方法
    本技術(shù)涉及抗干擾和隔離振動(dòng),尤其是涉及一種用于mems芯片的電路板。、微機(jī)電系統(tǒng)mems是一種集成了微電子技術(shù)和微機(jī)械加工技術(shù)的高科技電子機(jī)械器件,融合了光刻、腐蝕、薄膜、硅微加工等制作技術(shù),常見的mems產(chǎn)品包括mems加速度計(jì)、mems陀螺儀和mems慣性測(cè)量單元等,廣泛應(yīng)用于航空航天...
  • 一種單片MEMS壓力芯片的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)領(lǐng)域,具體地說就是一種單片mems壓力芯片的制備方法。、作為微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)的核心成果之一,mems壓力芯片通過融合微電子與微機(jī)械技術(shù),構(gòu)建了革命性的微型壓力檢測(cè)系統(tǒng)。這種微型化系統(tǒng)基于獨(dú)特的微機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用壓敏電阻的形變效應(yīng)將外界壓力轉(zhuǎn)化為...
  • 異質(zhì)界面微凸誘導(dǎo)能量再分布調(diào)控微溝槽側(cè)壁斜度的方法
    本發(fā)明涉及透明材料表面微納結(jié)構(gòu)制備領(lǐng)域,特別涉及異質(zhì)界面微凸誘導(dǎo)能量再分布調(diào)控微溝槽側(cè)壁斜度的方法,在光學(xué)元件制造、功能化表面構(gòu)建及微流控器件制備等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。、隨著微納制造技術(shù)的迅猛發(fā)展,透明介質(zhì)材料在光學(xué)元件、生物芯片及精密傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。熔融石英作為典型的透明介...
  • 壓電器件制備工藝和壓電器件
    本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件,尤其涉及一種壓電器件制備工藝和壓電器件。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域中獲得了廣泛應(yīng)用,其中之一是壓電驅(qū)動(dòng)mems器件技術(shù)。、靜電驅(qū)動(dòng)、電磁驅(qū)動(dòng)、電熱驅(qū)動(dòng)和壓電驅(qū)動(dòng)是mems器件的四種主要驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。與靜電驅(qū)動(dòng)器件相比,壓電驅(qū)動(dòng)器件可以在更低的電壓下驅(qū)...
  • 一種氧化硅填充的GST相變淺溝槽像素級(jí)電控超表面結(jié)構(gòu)及其加工方法
    本發(fā)明屬于微納光子學(xué)領(lǐng)域,特別涉及一種氧化硅填充的gst(gesbte)相變淺溝槽像素級(jí)電控超表面結(jié)構(gòu)及其加工方法。、隨著光電子芯片向高密度、多功能化方向發(fā)展,近紅外動(dòng)態(tài)光學(xué)調(diào)控技術(shù)對(duì)超表面器件的工藝兼容性、調(diào)控精度及可靠性提出了更高要求。、現(xiàn)有技術(shù)中,電控超表面工藝主要包含以下環(huán)節(jié):、....
  • 機(jī)電開關(guān)的制作方法
    、開關(guān)可以閉合或斷開以分別在兩個(gè)端子之間電連接或斷開連接。開關(guān)的一個(gè)實(shí)例是機(jī)電開關(guān),例如繼電器裝置,其包含一對(duì)電接觸件,每個(gè)電接觸件耦合到相應(yīng)的端子。機(jī)電開關(guān)可包含致動(dòng)器。響應(yīng)于電信號(hào)(例如,電壓信號(hào)),致動(dòng)器可以使兩個(gè)電接觸件物理接觸并閉合開關(guān),或者可以將兩個(gè)電接觸件彼此分離以斷開開關(guān)。...
  • 用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)屬于芯片制造的,具體是涉及一種用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)。、mems(micro-electro-mechanical?systems)是微機(jī)電系統(tǒng)的縮寫,mems制造技術(shù)利用微細(xì)加工技術(shù),特別是半導(dǎo)體圓片制造技術(shù),制造出各種微型機(jī)械結(jié)構(gòu),結(jié)合專用控制集成電路(asic),組成智能化...
  • 半導(dǎo)體裝置的制作方法
    本技術(shù)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。、集成電路可在半導(dǎo)體晶圓上制作。半導(dǎo)體晶圓可堆疊或結(jié)合于彼此頂上,以形成所謂的三維集成電路。一些半導(dǎo)體晶圓包括微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electromechanical-system,mems)裝置,其涉及形成具有微米級(jí)(百萬分之一米)尺寸的微結(jié)構(gòu)的工藝。通...
  • 一種芯片、芯片的制造方法及電子設(shè)備與流程
    本申請(qǐng)涉及電子,尤其涉及一種芯片、芯片的制造方法及電子設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems),也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí),是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))基...
  • 一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及微器件制備領(lǐng)域,特別是涉及一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法。、在干法刻蝕過程中,圖形側(cè)壁底部的邊角處會(huì)產(chǎn)生刻蝕聚焦效應(yīng),隨著刻蝕時(shí)間變長(zhǎng),邊角處的材料會(huì)被更多地刻蝕掉,形成微溝槽,嚴(yán)重的高深寬比微溝槽的形貌會(huì)導(dǎo)致微溝槽的側(cè)壁形成bow形貌,導(dǎo)致圖形底部缺口異常。在mems器件加工時(shí),...
  • 一種基于硅硅鍵合的壓力傳感器及其制備方法與流程
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體,具體涉及一種基于硅硅鍵合的壓力傳感器及其制備方法。、mems壓力傳感器是一種融合微型機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子電路的傳感裝置,以單晶硅硅片等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制作而成的芯片作為主要部分,通過檢測(cè)物理形變或電荷累積來測(cè)量壓力進(jìn)而轉(zhuǎn)化為電信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)壓力變化的敏感監(jiān)測(cè)和精確轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于各...
  • MEMS器件及其制備方法、電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種mems器件及其制備方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))是指一種將機(jī)械構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體的微型系統(tǒng)。mems傳感器具有體積小、功耗低、可批量生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì),在智能...
  • 一種晶圓級(jí)封裝MEMS慣性器件的制作方法與流程
    本發(fā)明涉及慣性傳感,具體為一種晶圓級(jí)封裝mems慣性器件的制作方法。、mems慣性傳感器是一種微型化的慣性測(cè)量裝置,采用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)制造,分為加速度計(jì)和陀螺儀以及他們的組合,其中加速度計(jì)用來測(cè)量物體的加速度,陀螺儀用來測(cè)量物體的角速度,加速度和角速度的綜合測(cè)試就可以用來描述物體的...
  • 一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及微器件制備領(lǐng)域,特別是涉及一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法。、在mems器件加工時(shí),對(duì)膜層圖形化后得到的形貌有特殊要求,比如非等高結(jié)構(gòu)的特殊形貌,需要通過刻蝕速率選擇:的刻蝕方法將光刻膠的圖形:轉(zhuǎn)移到被刻蝕材料上,由于介質(zhì)層大多是絕緣體,導(dǎo)電性較差,在刻蝕過程中產(chǎn)生的二次電子不容易被...
  • 提升石英玻璃基底上二維金納米顆粒陣列表面晶格共振品質(zhì)因子的方法
    本發(fā)明涉及一種微納光子學(xué)技術(shù),尤其涉及一種提升石英玻璃基底上二維金納米顆粒陣列表面晶格共振品質(zhì)因子的方法。、對(duì)于金屬等離激元納米結(jié)構(gòu)來說,實(shí)現(xiàn)局域場(chǎng)增強(qiáng)和共振品質(zhì)因子(q值)提升對(duì)其在熒光增強(qiáng)、納米激光、傳感檢測(cè)和非線性光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用具有極其重要的意義。當(dāng)金屬納米顆粒排列成一維或二維周期...
  • MEMS慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法與流程
    本發(fā)明涉及慣性器件,尤其涉及一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法。、mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))慣性器件在制作過程中需要?jiǎng)澩钙骷樱瑢⒒讓由系臏y(cè)試pad露出來以完成測(cè)試。目前,mems慣性器件的器件層與基底之間的間距通常不足?μm,...
  • 一種微機(jī)電系統(tǒng)振鏡的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及振鏡封裝,尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)振鏡的封裝結(jié)構(gòu)。、mems(微機(jī)電系統(tǒng),micro-electro-mechanical?system)振鏡是一種非常新穎的產(chǎn)品,封裝結(jié)構(gòu)也是各有特點(diǎn)。、大部分產(chǎn)品參考半導(dǎo)體器件金屬管殼封裝形式,采用金屬外殼,內(nèi)容微機(jī)電系統(tǒng)振鏡的方案。金屬外殼的組...
技術(shù)分類