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本發(fā)明屬于太赫茲和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種硅基太赫茲電路中異形腔體結(jié)構(gòu)加工方法。、太赫茲波具有頻帶寬、能量低、相干性好等性質(zhì)，廣泛應(yīng)用于無線通訊、無損探測等領(lǐng)域。傳統(tǒng)太赫茲電路和系統(tǒng)的波導(dǎo)腔體主要依賴數(shù)控機(jī)床加工完成，隨著器件頻率的提高，腔體特征尺寸降至微米級，表面粗糙度降至納米級，數(shù)...

本發(fā)明涉及光學(xué)振鏡的，特別是涉及一種mems微振鏡的封裝結(jié)構(gòu)。、當(dāng)期光學(xué)終端往輕量化和小型化方向發(fā)展，最為核心部件的光學(xué)振鏡小型化問題越來越急迫。mems微振鏡作為一種光學(xué)振鏡小型化方案，越來越被看好。進(jìn)而對mems微振鏡的小型化封裝提出更高的要求。、當(dāng)前多數(shù)廠商采用的金屬殼包裹mems器...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種基于壓電疊層結(jié)構(gòu)的可調(diào)諧mems結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems,?micro-electro-mechanical?system），也叫作微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個(gè)...

本發(fā)明涉及硅微傳感器芯片，特別是一種mems微差壓芯片及制備方法。、mems（微機(jī)電系統(tǒng)）硅微壓力傳感器，作為現(xiàn)代微電子技術(shù)與精密機(jī)械加工技術(shù)融合的產(chǎn)物，其發(fā)展背景與世紀(jì)下半葉半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起密切相關(guān)。隨著集成電路制造工藝的突破，開始在硅基材料上構(gòu)建微型機(jī)械結(jié)構(gòu)，通過壓阻、電容和諧振等敏感...

本申請涉及柔性無機(jī)電子器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種阿基米德螺旋-蛇形混合互聯(lián)結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)方法。、在過去二十年中，既保持高電學(xué)性能同時(shí)又具備可延展柔性的柔性無機(jī)電子器件取得了廣泛應(yīng)用，如電子皮膚、電子眼相機(jī)、健康檢測器、多功能醫(yī)用導(dǎo)管等。由于無機(jī)半導(dǎo)體材料（如硅）具有剛性和脆性，其自身...

本發(fā)明屬于二維電極以及微流控加工，具體涉及一種基于真空填充的金屬圖案化微電極及其制備方法和應(yīng)用。、微流控芯片(lab-on-a-chip)是一種通過在微米尺度通道中操控流體，實(shí)現(xiàn)液體傳輸、混合、反應(yīng)與檢測的集成化微系統(tǒng)平臺。它廣泛應(yīng)用于生命科學(xué)、藥物篩選、單細(xì)胞分析、生物傳感和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)...

本發(fā)明特別涉及一種莫爾條紋及其制備方法，屬于微納制造。、莫爾條紋(moiré?pattern)是一種由兩個(gè)或多個(gè)周期性結(jié)構(gòu)(如網(wǎng)格、光柵、晶體晶格等)疊加時(shí)，因周期或取向的微小差異而產(chǎn)生的宏觀干涉圖案。它的本質(zhì)是一種“幾何干涉”現(xiàn)象，表現(xiàn)為比原始結(jié)構(gòu)周期更長的明暗交替條紋，廣泛存在于日常生...

本發(fā)明屬于智能材料和仿生微納米器件構(gòu)筑和調(diào)控領(lǐng)域，具體涉及一種通過調(diào)節(jié)引擎分布非對稱度控制微納米馬達(dá)運(yùn)動行為的方法。、微納米馬達(dá)（micro/nanomotors），亦稱微納米機(jī)器人（micro/nanorobots），是一種可在微納尺度將不同形式能量（如化學(xué)能、光能、磁能等）轉(zhuǎn)化為自身動...

本發(fā)明涉及一種微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件。、由現(xiàn)有技術(shù)已知微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件。這些結(jié)構(gòu)元件可以例如構(gòu)型為微機(jī)電的揚(yáng)聲器或構(gòu)型為微機(jī)電的麥克風(fēng)。在這些結(jié)構(gòu)元件中可以設(shè)置可運(yùn)動的膜片，所述膜片可以被驅(qū)動并且產(chǎn)生聲波或者所述膜片通過入射的聲波而運(yùn)動并且該運(yùn)動可以被作為信號讀出。膜片可以實(shí)施為平面結(jié)構(gòu)，其中，如此...

本公開的實(shí)施例涉及基于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)的器件和用于制造基于mems的器件的方法。更具體地，實(shí)施例涉及mems傳感器或mems致動器的領(lǐng)域，例如mems聲換能器(mems麥克風(fēng)或mems揚(yáng)聲器)、mems壓力傳感器，mems氣體傳感器，mems環(huán)境傳感器，或者具有通過在mems器件的功能元件的...

本申請實(shí)施例涉及微機(jī)電，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)mems器件和激光設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件，即通過mems技術(shù)加工制造的器件。、在mems器件工作時(shí)，由于mems器件需要按某些特定的運(yùn)動軌跡運(yùn)動，此時(shí)開環(huán)控制并不能滿足...

本發(fā)明是關(guān)于提高微流道結(jié)構(gòu)深寬比、成品率、使用壽命的先進(jìn)制造技術(shù)，特別是關(guān)于一種超薄壁高深寬比微型化學(xué)反應(yīng)芯片的制造方法。、微型化學(xué)反應(yīng)器具有尺寸小、反應(yīng)效率高、反應(yīng)充分等優(yōu)勢，在微細(xì)化工、生物醫(yī)藥、發(fā)酵培養(yǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，其原理是讓反應(yīng)原料高速流過微型化學(xué)反應(yīng)芯片。微型化學(xué)反應(yīng)芯片上布有...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)制備，具體涉及一種直接基于硅襯底的鍺硅準(zhǔn)懸浮微環(huán)及其制備方法。、硅基光電一體化集成，用光信號代替電信號作為信息載體，可以有效解決微電子集成芯片能量消耗大、信息傳輸速度低、信號干擾等問題。目前制約光電一體化集成發(fā)展的主要因素是缺乏高性能光源。由于微電子集成的基石硅基材...

本發(fā)明涉及晶圓的，它涉及一種mems晶圓腐蝕厚度監(jiān)控及腐蝕工藝評估方法。、硅基mems器件的制造是一個(gè)復(fù)雜的多步驟集成過程，其中涉及光刻、刻蝕（包括干法和濕法）、薄膜沉積、清洗等關(guān)鍵工序。特別是對于壓阻式壓力傳感器等高精度mems產(chǎn)品，其性能（如靈敏度、精度）對作為傳感膜或結(jié)構(gòu)支撐體的硅膜...

本申請涉及電子產(chǎn)品，更具體地，涉及一種壓力傳感器、其制備方法及電子設(shè)備。、在傳感器，微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanicalsystems，簡稱mems)差壓傳感器作為一類重要的感知器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域，用于精確測量...

本發(fā)明的是機(jī)電系統(tǒng)的，尤其是微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanical?system，mems)或納米機(jī)電系統(tǒng)(nanoelectromechanicalsyste，nems)類型的機(jī)電系統(tǒng)的。本發(fā)明更具體地涉及一種機(jī)電系統(tǒng)，該機(jī)電系統(tǒng)包括可移動元件、電容式測量或致動裝置以及用于在可...

本申請涉及一種用于微機(jī)電系統(tǒng)（mems）的機(jī)械振蕩的驅(qū)動設(shè)備、一種根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的驅(qū)動設(shè)備與可機(jī)械振蕩的微機(jī)電系統(tǒng)的組合、一種包含根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動設(shè)備或根據(jù)本發(fā)明的組合的眼鏡設(shè)備，以及一種用于驅(qū)動微機(jī)電系統(tǒng)、特別是mems掃描儀的方法。、待諧振驅(qū)動的mems、特別是mems掃描儀...

本發(fā)明涉及柔性器件，尤其涉及一種多層柔性電極、基于多層柔性電極的陣列器件及制備方法。、柔性陣列器件因具備可彎曲、可貼合復(fù)雜曲面的優(yōu)點(diǎn)，在醫(yī)療診斷、工業(yè)無損檢測及消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊應(yīng)用前景；柔性陣列器件核心性能指標(biāo)（如能量密度、信號分辨率）的提升，高度依賴于電極結(jié)構(gòu)的精密加工，柔性電極...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)器件，特別涉及一種基于son和硅外延工藝的pmut制備方法及pmut。、壓電式微機(jī)械超聲波換能器(pmut)作為一種重要的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件，憑借體積小、功效低、集成度高等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。、傳統(tǒng)的pmut制備通常采用正面犧牲層工藝和背面深硅...

本發(fā)明涉及一種根據(jù)主權(quán)利要求所述的用于由具有鋁盈余的氮化鋁來制造具有在兩側(cè)暴露的膜區(qū)段的器件的方法和設(shè)備。、從kr?--?a已知由aln、bn或石英制成的膜。從kr?--a已知具有例如由aln制成的金屬氮化物層的相移掩膜。從kr?--?a已知另一種由aln制成的膜、以及具有這種膜的器件。、...