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本發(fā)明涉及等離子體領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體輔助激發(fā)方法、等離子體發(fā)生裝置及系統(tǒng)。、射頻/微波等離子體炬是一種利用高頻電磁場激發(fā)氣體以產(chǎn)生等離子體的裝置，廣泛應(yīng)用于材料表面處理、廢氣處理、光譜分析及航空航天推進(jìn)等領(lǐng)域。、然而，射頻/微波等離子體炬的穩(wěn)定激發(fā)與維持面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，主要源于射...

本發(fā)明屬于柔性電池，具體涉及一種柔性組件電池片自適應(yīng)橫縱裂片裝置及裂片方法。、在全球能源結(jié)構(gòu)加速向低碳化轉(zhuǎn)型的背景下，光伏發(fā)電作為清潔能源的核心支柱之一，正朝著高效率、輕量化、柔性化方向演進(jìn)。柔性光伏組件憑借其可彎曲、輕便易集成等特性，在建筑一體化、移動能源裝備等新興領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。然...

本發(fā)明涉及信息電子材料技術(shù)、信息通訊、無線射頻通訊等領(lǐng)域，具體涉及一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用。、隨著無線通訊領(lǐng)域的快速發(fā)展，對處理射頻信號的射頻濾波器的性能的要求進(jìn)一步提高，射頻濾波器是整個射頻前端中的占比最高的元件，也是國防軍工、移動通訊及汽車電子的重要元器件之一，其作用是濾除通訊過程...

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路。、class?ab放大器（甲乙類功率放大器）因其平衡了低靜態(tài)功耗與大動態(tài)驅(qū)動能力的優(yōu)勢特性，已廣泛應(yīng)用于高保真音頻、射頻功率放大等多種應(yīng)用場景。為確保class?ab放大器的動態(tài)穩(wěn)定性，ahujia（又稱casco...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理。更具體地，本發(fā)明涉及一種智能電表的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)。、隨著智能電網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，智能電表的應(yīng)用日益增多。這些設(shè)備能夠精確記錄用戶的用電數(shù)據(jù)，幫助電力公司更好地規(guī)劃負(fù)荷分配和維護(hù)計(jì)劃?？紤]到用電數(shù)據(jù)量龐大且重要，如何高效地存儲和管理海量的用戶用電數(shù)據(jù)成為了一個亟待解決的問...

本發(fā)明涉及衛(wèi)星通信與信道編碼，特別涉及一種面向ccsds標(biāo)準(zhǔn)的ldpc譯碼器及其譯碼方法。、低密度奇偶校驗(yàn)碼（ldpc碼）是一種前向糾錯碼，由麻省理工學(xué)院的robertgallager于年在其博士論文中提出。ldpc碼具有稀疏校驗(yàn)矩陣，能夠逼近香農(nóng)極限，且描述和實(shí)現(xiàn)簡單，適合硬件實(shí)現(xiàn)。、現(xiàn)...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種功率器件及其制備方法。、將bcd（bipolar?cmos?dmos，雙極-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）和sgt（shielded?gate?trench，屏蔽柵溝槽型）模塊整合至同一功率器件芯片中，能夠降低引腳數(shù)量、器件占用空間和連接復(fù)雜度...

本申請涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板及電子設(shè)備。、有機(jī)發(fā)光二極管（organic?light?emitting?diode，oled）顯示技術(shù)，被視為下一代最具有潛力的新型顯示技術(shù)。與液晶顯示技術(shù)相比，oled顯示技術(shù)具有低能耗、低成本、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。、傳統(tǒng)ole...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種快恢復(fù)二極管半導(dǎo)體器件及其制備工藝。、快恢復(fù)二極管（fast?recovery?diode,?frd）是一種利用p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間會形成具有單向?qū)ㄌ匦郧揖哂袠O短反向恢復(fù)時間的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電路、電氣電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。相較于同類普通二...

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，更為具體地說，涉及一種正裝led芯片及其制作方法和發(fā)光裝置。、發(fā)光二極管芯片(led芯片)是一種pn結(jié)電致發(fā)光的發(fā)光器件，作為新一代的照明光源，具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保、使用壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示、背光源等領(lǐng)域。隨著科技的不斷進(jìn)步和市場需求的持續(xù)增長，l...

本發(fā)明涉及一種航天器用模塊化變換器，屬于變換器領(lǐng)域。、隨著航天任務(wù)的多樣化和復(fù)雜化，傳統(tǒng)的電力管理方式已難以滿足航天器在不同任務(wù)和環(huán)境下的需求。因此，需要使用變換器，航天器用變換器主要用于電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)和分配，以保證航天器各個系統(tǒng)在復(fù)雜的任務(wù)環(huán)境中能夠獲得持續(xù)而穩(wěn)定的電力供應(yīng)，現(xiàn)有的變換...

本發(fā)明涉及寬禁帶化合物半導(dǎo)體以及光電探測領(lǐng)域，特別涉及一種gao/bite橫向異質(zhì)結(jié)光電探測器及其制備方法。、光電探測器是一種能將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的特殊器件，其核心原理是利用內(nèi)光電效應(yīng)(即光電導(dǎo)效應(yīng)與光伏效應(yīng))將光子能量轉(zhuǎn)化為可檢測的電流或電壓。目前市面上主流的光電探測器通常由硅(si)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，更為具體地說，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。、晶體管是功率轉(zhuǎn)換及功率轉(zhuǎn)換中逆變器的重要部件，由于gan優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，gan基晶體管能顯著提升轉(zhuǎn)換效率，降低能效損失。年以來gan基晶體管成為學(xué)者研究的熱點(diǎn)領(lǐng)域，由于缺少少子的積累和較低的勢壘高度，gan基晶體管能夠在...

本發(fā)明涉及無線通信，尤其涉及一種低功耗微輻射無線終端設(shè)備。、在現(xiàn)代電子設(shè)備領(lǐng)域，低功耗微輻射無線終端設(shè)備廣泛應(yīng)用于智能家居、物聯(lián)網(wǎng)通信、工業(yè)控制等場景。此類設(shè)備在運(yùn)行過程中，內(nèi)部元件會產(chǎn)生一定熱量，需通過散熱孔實(shí)現(xiàn)空氣對流以維持穩(wěn)定工作溫度，同時為防止灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部影響散熱效率及...

本發(fā)明涉及一種具備抗干擾和欠壓的光mos點(diǎn)火模塊的電路、結(jié)構(gòu)、制備方法。、常用固體繼電器包括光mos繼電器和金屬封裝固體繼電器；對于點(diǎn)火領(lǐng)域，目前常常采用金屬封裝固體繼電器。而光mos繼電器的外殼為陶瓷絕緣材料，該特性使得產(chǎn)品體積小，重量輕、且導(dǎo)熱良好，并且光mos繼電器相對變壓器隔離驅(qū)動...

本發(fā)明屬于mos管驅(qū)動電路，具體涉及一種抑制碳化硅mosfet橋臂串?dāng)_的驅(qū)動電路。、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有開關(guān)速度快、耐高溫高壓、開關(guān)損耗低等優(yōu)良特性，碳化硅mosfet作為代表器件，推進(jìn)了電力電子技術(shù)向著更高功率密度、更高效率方向發(fā)展。然而在高頻應(yīng)用場景下，橋臂結(jié)構(gòu)的碳化硅mos...

本公開涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種晶體管制備方法。、晶體管是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件。、基于gan的晶體管通常包括緩沖層、溝道層、勢壘層、第一介質(zhì)層、刻蝕阻擋層和第二介質(zhì)層。緩沖層、溝道層、勢壘層、第一介質(zhì)層、刻蝕阻擋層和第二介質(zhì)層依次層疊，制作過程中需要對第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，圖形化處理時刻蝕...

本發(fā)明涉及通信計(jì)算，尤其涉及一種huffman編碼方法、編碼裝置、芯片及存儲介質(zhì)。、huffman碼是一類具有壓縮效果的前綴編碼，該碼通過對更頻繁出現(xiàn)的符號賦予更短的碼字，同時對較少出現(xiàn)的符號賦予更長的碼字，從而獲得基于統(tǒng)計(jì)分布的碼本。從而，基于獲得的碼本，就可以將原始字符串進(jìn)行編碼，并可...

本公開涉及一種電子器件。、作為現(xiàn)有的電子器件，已知例如專利文獻(xiàn)記載的電子器件。日本特開-號公報(bào)記載的電子器件具備：層疊多個絕緣體層而形成的素體、配置于素體內(nèi)的電感器，電感器具備：在多個絕緣體層的層疊方向上延伸的兩個導(dǎo)體、連接兩個導(dǎo)體的連接導(dǎo)體。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、（一）要解決的技術(shù)問題、本公開的...

、過去幾十年，集成電路中的特征的縮放一直是不斷增長的半導(dǎo)體工業(yè)背后的驅(qū)動力?？s放到越來越小的特征使得能夠增加半導(dǎo)體芯片的有限芯片面積上的功能單元的密度。例如，縮小晶體管尺寸允許在芯片上并入增加數(shù)量的存儲器或邏輯裝置，從而使得能夠制造具有增大的容量的產(chǎn)品。然而，對更大容量的追求并非沒有問題。...